表面贴装型 N 通道 1200 V 29A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-7-12
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表面贴装型 N 通道 1200 V 29A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-7-12
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMBG120R078M2HXTMA1

DigiKey 零件编号
448-IMBG120R078M2HXTMA1TR-ND - 卷带(TR)
448-IMBG120R078M2HXTMA1CT-ND - 剪切带(CT)
448-IMBG120R078M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
IMBG120R078M2HXTMA1
描述
SICFET N-CH 1200V 29A TO263
原厂标准交货期
54 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 1200 V 29A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-7-12
规格书
 规格书
产品属性
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类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.1V @ 2.8mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20.6 nC @ 18 V
系列
Vgs(最大值)
+23V,-10V
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
700 pF @ 800 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
158W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术
安装类型
表面贴装型
漏源电压(Vdss)
1200 V
供应商器件封装
PG-TO263-7-12
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,18V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
78.1 毫欧 @ 8.9A,18V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
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剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$12.61000$12.61
10$8.53800$85.38
100$6.23450$623.45
500$5.25310$2,626.55
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 单价总价
1,000$4.93794$4,937.94
2,000$4.67337$9,346.74
3,000$4.53868$13,616.04
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$12.61000
含 VAT 单价:$13.74490