IGO60R070D1AUMA2 Infineon Technologies | 分立半导体产品

IGO60R070D1AUMA2
DigiKey 零件编号	448-IGO60R070D1AUMA2TR-ND - 卷带（TR） 448-IGO60R070D1AUMA2CT-ND - 剪切带（CT）
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IGO60R070D1AUMA2
描述	GAN HV
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 31A（Tc） 125W（Tc） PG-DSO-20-85
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IGO60R070D1AUMA2 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	CoolGaN™
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1，6V @ 2，6mA
Vgs（最大值）	-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	380 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	125W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-DSO-20-85
封装/外壳	20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）
基本产品编号	IGO60