MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 420A(Tc) 底座安装 AG-62MMHB
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FF2MR12KM1HPHPSA1

DigiKey 零件编号
448-FF2MR12KM1HPHPSA1-ND
制造商
制造商产品编号
FF2MR12KM1HPHPSA1
描述
MOSFET 2N-CH 1200V AG-62MMHB
原厂标准交货期
23 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 420A(Tc) 底座安装 AG-62MMHB
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
FF2MR12KM1HPHPSA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
包装
托盘
零件状态
在售
技术
碳化硅(SiC)
配置
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
420A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.96 毫欧 @ 420A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.15V @ 168mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1200nC @ 18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
36300pF @ 800V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
AG-62MMHB
基本产品编号
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