IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥逆变器 1200 V 165 A 20 mW 底座安装
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FF200R12W2T7EB11BPSA1

DigiKey 零件编号
448-FF200R12W2T7EB11BPSA1-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
FF200R12W2T7EB11BPSA1
描述
IGBT MODULE 1200V 165A 20MW
原厂标准交货期
19 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥逆变器 1200 V 165 A 20 mW 底座安装
EDA/CAD 模型
FF200R12W2T7EB11BPSA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
TRENCHSTOP™
包装
托盘
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
半桥逆变器
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
165 A
功率 - 最大值
20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.8V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）
15 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
43400 pF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
-
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