Name: FF200R06KE3HOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF200R06KE3HOSA1-ND
Price: 181.6158 SGD
Availability: InStock

IGBT 模块沟槽型场截止半桥 600 V 260 A 680 W 底座安装模块

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

FF200R06KE3HOSA1
DigiKey 零件编号	448-FF200R06KE3HOSA1-ND
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	FF200R06KE3HOSA1
描述	IGBT MOD 600V 260A 680W MOD
原厂标准交货期	21 周
客户内部零件编号
详细描述	IGBT 模块沟槽型场截止半桥 600 V 260 A 680 W 底座安装模块
规格书	规格书

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 IGBT IGBT 模块	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 1.9V @ 15V，200A
制造商 Infineon Technologies	电流 - 集电极截止（最大值） 5 mA
系列 C	输入标准
包装托盘	NTC 热敏电阻无
零件状态在售	工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
IGBT 类型沟槽型场截止	安装类型底座安装
配置半桥	封装/外壳模块
电压 - 集射极击穿（最大值） 600 V	供应商器件封装模块
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 260 A	基本产品编号 FF200R06
功率 - 最大值 680 W

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1	$166.62000	$166.62
10	$131.03900	$1,310.39
100	$111.71560	$11,171.56

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电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 260 A	基本产品编号 FF200R06
功率 - 最大值 680 W

FF200R06KE3HOSA1

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