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FF150R12KE3GB2HOSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-FF150R12KE3GB2HOSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | FF150R12KE3GB2HOSA1 |
描述 | IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD |
原厂标准交货期 | 21 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥逆变器 1200 V 225 A 780 W 底座安装 模块 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
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类别 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.15V @ 15V,150A |
制造商 Infineon Technologies | 电流 - 集电极截止(最大值) 5 mA |
系列 | 不同 Vce 时输入电容 (Cies) 11 nF @ 25 V |
包装 托盘 | 输入 标准 |
零件状态 在售 | NTC 热敏电阻 无 |
IGBT 类型 沟槽型场截止 | 工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ) |
配置 半桥逆变器 | 安装类型 底座安装 |
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V | 封装/外壳 模块 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 225 A | 供应商器件封装 模块 |
功率 - 最大值 780 W | 基本产品编号 |
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| 1 | $172.40000 | $172.40 |
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| 100 | $116.35270 | $11,635.27 |
| 不含 VAT 单价: | $172.40000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $187.91600 |
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由 Rochester Electronics, LLC 发货
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