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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
F48MR12W2M1HB70BPSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-F48MR12W2M1HB70BPSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | F48MR12W2M1HB70BPSA1 |
描述 | LOW POWER EASY |
原厂标准交货期 | 29 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 100A 20mW 底座安装 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | F48MR12W2M1HB70BPSA1 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | ||
包装 | 托盘 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | 碳化硅（SiC） | |
配置 | 4 N 沟道（全桥） | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 毫欧 @ 100A，18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.15V @ 40mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 297nC @ 18V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8800pF @ 800V | |
功率 - 最大值 | 20mW | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | - |
现货: 11
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数量
所有价格均以 SGD 计算
托盘
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $251.21000 | $251.21 |
| 15 | $218.95467 | $3,284.32 |
| 不含 VAT 单价: | $251.21000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $273.81890 |
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