设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-F435MR07W1D7S8B11ABPSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 |
描述 | MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE |
原厂标准交货期 | 22 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 650V 35A 底座安装 模块 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | ||
包装 | 托盘 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 4 N 沟道（全桥） | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 650V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 39.4 毫欧 @ 35A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.45V @ 1.74mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 141nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6950pF @ 400V | |
功率 - 最大值 | - | |
工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | 模块 | |
基本产品编号 |
现货: 18
检查是否有其他入库库存
数量
所有价格均以 SGD 计算
托盘
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $77.32000 | $77.32 |
| 24 | $53.88375 | $1,293.21 |
| 120 | $51.56142 | $6,187.37 |
| 不含 VAT 单价: | $77.32000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $84.27880 |
