NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb 并联 45 ns 48-FBGA（6x10）
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb 并联 45 ns 48-FBGA（6x10）
48-FBGA

CY14V104NA-BA45XI

DigiKey 零件编号
CY14V104NA-BA45XI-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
CY14V104NA-BA45XI
描述
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
原厂标准交货期
29 周
客户内部零件编号
详细描述
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb 并联 45 ns 48-FBGA（6x10）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
CY14V104NA-BA45XI 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
零件状态
在售
DigiKey 可编程
未验证
存储器类型
非易失
存储器格式
NVSRAM
技术
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量
4Mb
存储器组织
256K x 16
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
45ns
访问时间
45 ns
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
48-TFBGA
供应商器件封装
48-FBGA（6x10）
基本产品编号
CY14V104
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