BSO130P03SHXUMA1 Infineon Technologies | 分立半导体产品

BSO130P03SHXUMA1
DigiKey 零件编号	BSO130P03SHXUMA1TR-ND - 卷带（TR） BSO130P03SHXUMA1CT-ND - 剪切带（CT） BSO130P03SHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	BSO130P03SHXUMA1
描述	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 30 V 9.2A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	BSO130P03SHXUMA1 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	13 毫欧 @ 11.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3520 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.56W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-DSO-8
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号	BSO130