BDP950H6327XTSA1 可以购买了，但通常没有现货。
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NSS60600MZ4T1G
onsemi
现货: 10,122
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直接

NSV60600MZ4T1G
onsemi
现货: 1,093
单价: $1.39000
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类似

BCP52TA
Diodes Incorporated
现货: 188
单价: $0.61000
规格书

类似

FZT591TA
Diodes Incorporated
现货: 2,017
单价: $1.45000
规格书

类似

FZT751QTA
Diodes Incorporated
现货: 238
单价: $1.30000
规格书

类似

FZT751TA
Diodes Incorporated
现货: 7,130
单价: $1.17000
规格书

类似

FZT751TC
Diodes Incorporated
现货: 0
单价: $0.43292
规格书

类似

FZT792ATA
Diodes Incorporated
现货: 6,819
单价: $1.74000
规格书

类似

FZT951TA
Diodes Incorporated
现货: 6,630
单价: $2.19000
规格书

类似

PBSS5350Z,135
Nexperia USA Inc.
现货: 2,999
单价: $0.37410
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 3 A 100MHz 5 W 表面贴装型 PG-SOT223-4-10
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BDP950H6327XTSA1

DigiKey 零件编号
448-BDP950H6327XTSA1TR-ND - 卷带（TR）
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
BDP950H6327XTSA1
描述
TRANS PNP 60V 3A PG-SOT223-4-10
客户内部零件编号
详细描述
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 3 A 100MHz 5 W 表面贴装型 PG-SOT223-4-10
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
BDP950H6327XTSA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
零件状态
最后售卖
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
500mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
85 @ 500mA，1V
功率 - 最大值
5 W
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装
PG-SOT223-4-10
基本产品编号
BDP950
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最后售卖
最后售卖日期：31/12/2026
数量
所有价格均以 SGD 计算
卷带（TR）
数量 单价总价
3,000$0.40041$1,201.23
不含 VAT 单价:$0.40041
含 VAT 单价:$0.43645