BDP949H6327XTSA1 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

直接


onsemi
现货: 38
单价: $1,514.00000
规格书

直接


onsemi
现货: 428
单价: $1,529.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 501
单价: $1,236.00000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 6,158
单价: $680.00000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 45
单价: $896.00000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 481
单价: $1,606.00000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 8,128
单价: $1,282.00000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 6,926
单价: $1,683.00000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 41,482
单价: $2,131.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 818
单价: $2,085.00000
规格书
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 3 A 100MHz 5 W 表面贴装型 PG-SOT223-4-10
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

BDP949H6327XTSA1

DigiKey 零件编号
448-BDP949H6327XTSA1TR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
BDP949H6327XTSA1
描述
TRANS NPN 60V 3A PG-SOT223-4-10
客户内部零件编号
详细描述
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 3 A 100MHz 5 W 表面贴装型 PG-SOT223-4-10
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
BDP949H6327XTSA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
卷带(TR)
零件状态
最后售卖
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
3 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
500mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
100 @ 500mA,1V
功率 - 最大值
5 W
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装
PG-SOT223-4-10
基本产品编号
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最后售卖
最后售卖日期:31/12/2026
所有价格均以 SGD 计算
卷带(TR)
数量 单价总价
3,000$0.30808$924.24
不含 VAT 单价:$0.30808
含 VAT 单价:$0.33581