AUIRLR3636TRL Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

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Infineon Technologies

现货: 3,216

单价: $2.74000

类似

onsemi

现货: 529

单价: $3.40000

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 49 nC @ 4.5 V
制造商 Infineon Technologies	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3779 pF @ 50 V
系列 HEXFET®	功率耗散（最大值） 143W（Tc）
包装卷带（TR）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
零件状态停产	等级汽车级
FET 类型 N 通道	资质 AEC-Q101
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 60 V	供应商器件封装 TO-252AA (DPAK)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6.8 毫欧 @ 50A，10V	基本产品编号 AUIRLR3636
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 100µA

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替代品 (2)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPD90N06S4L06ATMA2	Infineon Technologies	3,216	448-IPD90N06S4L06ATMA2CT-ND	$2.74000	类似
NTD5862NT4G	onsemi	529	NTD5862NT4GOSCT-ND	$3.40000	类似

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不可取消/不可退货

AUIRLR3636TRL