类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 315 nC @ 10 V
制造商 Infineon Technologies	Vgs（最大值） ±20V
系列 HEXFET®	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 10250 pF @ 25 V
包装管件	功率耗散（最大值） 294W（Tc）
零件状态停产	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
FET 类型 N 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 40 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 240A（Tc）	供应商器件封装 PG-TO263-7-900
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1 毫欧 @ 100A，10V	基本产品编号 IRFS8408
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 250µA

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPB240N04S41R0ATMA1	Infineon Technologies	977	448-IPB240N04S41R0ATMA1CT-ND	$6.17000	类似
CSD18510KTTT	Texas Instruments	298	296-45229-1-ND	$6.25000	类似
SQM40010EL_GE3	Vishay Siliconix	603	SQM40010EL_GE3CT-ND	$5.73000	类似
STH320N4F6-6	STMicroelectronics	893	497-13838-1-ND	$7.28000	类似

AUIRFS8408-7P