Name: AIMCQ120R040M1TXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMCQ120R040M1TXTMA1TR-ND
Price: 23.8492 SGD
Availability: InStock

表面贴装型 N 通道 1200 V 61A（Tc） 341W（Tc） PG-HDSOP-22

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

AIMCQ120R040M1TXTMA1
DigiKey 零件编号	448-AIMCQ120R040M1TXTMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-AIMCQ120R040M1TXTMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-AIMCQ120R040M1TXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	AIMCQ120R040M1TXTMA1
描述	SIC_DISCRETE
原厂标准交货期	61 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 1200 V 61A（Tc） 341W（Tc） PG-HDSOP-22
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	AIMCQ120R040M1TXTMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.1V @ 6.4mA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 43 nC @ 20 V
系列 CoolSiC™	Vgs（最大值） +25V，-10V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1264 pF @ 800 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 341W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 SiCFET（碳化硅）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 1200 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 61A（Tc）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V，20V	供应商器件封装 PG-HDSOP-22
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 50 毫欧 @ 20A，20V	封装/外壳 22-PowerBSOP 模块