RFW2N06RLE Harris Corporation | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
制造商 Harris Corporation	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 30 nC @ 10 V
包装散装	Vgs（最大值） +10V，-5V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 535 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 1.09W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 60 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A（Tc）	供应商器件封装 4-DIP，Hexdip
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V	封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 200 毫欧 @ 2A，5V