IRFD110 Harris Corporation | 单 FET，MOSFET

IRFD110
DigiKey 零件编号	2156-IRFD110-ND
制造商	Harris Corporation
制造商产品编号	IRFD110
描述	1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 100 V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Harris Corporation
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	540 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	8.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	180 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.3W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	4-DIP，Hexdip，HVMDIP
封装/外壳	4-DIP（0.300"，7.62mm）
基本产品编号	IRFD110

IRFD110