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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
GE12050EEA3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 4014-GE12050EEA3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | GE12050EEA3 |
描述 | MOSFET 6N-CH 1200V 475A MODULE |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 475A 1250W 底座安装 模块 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 160mA |
制造商 GE Aerospace | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1248nC @ 18V |
系列 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 29300pF @ 600V |
包装 散装 | 功率 - 最大值 1250W |
零件状态 在售 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
技术 碳化硅（SiC） | 资质 AEC-Q101 |
配置 6 N-沟道（3 相桥） | 安装类型 底座安装 |
漏源电压（Vdss） 1200V（1.2kV） | 封装/外壳 模块 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 475A | 供应商器件封装 模块 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.4 毫欧 @ 475A，20V | 基本产品编号 |
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现货: 8
数量
所有价格均以 SGD 计算
散装
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $11,174.73000 | $11,174.73 |
| 不含 VAT 单价: | $11,174.73000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $12,180.45570 |
