IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 330 W 通孔 TO-247
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IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 330 W 通孔 TO-247
Diotec's IGBTs - Insulated Gate Bipolar Transistors

DIW040M120

DigiKey 零件编号
4878-DIW040M120-ND
制造商
Diotec Semiconductor
制造商产品编号
DIW040M120
描述
IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
原厂标准交货期
8 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 330 W 通孔 TO-247
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
DIW040M120 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Diotec Semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.4V @ 15V，40A
功率 - 最大值
330 W
开关能量
3.2mJ（导通），2.3mJ（关断）
输入类型
标准
25°C 时 Td（开/关）值
37ns/290ns
测试条件
600V，40A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
85 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
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现货: 439
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管件
数量 单价总价
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30$6.48733$194.62
120$5.44992$653.99
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不含 VAT 单价:$11.21000
含 VAT 单价:$12.21890