DI017N10D1 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

参数等效


Rochester Electronics, LLC
现货: 97,725
单价: $2.23518
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参数等效


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

参数等效


Infineon Technologies
现货: 11,536
单价: $2.13000
规格书

参数等效


Infineon Technologies
现货: 9,078
单价: $2.10000
规格书
表面贴装型 N 通道 100 V 17A(Tc) 79W(Tc) TO-252(DPAK)
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

DI017N10D1

DigiKey 零件编号
4878-DI017N10D1-ND
制造商
制造商产品编号
DI017N10D1
描述
MOSFET N-CH 100V 17A TO-252-3
原厂标准交货期
10 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 100 V 17A(Tc) 79W(Tc) TO-252(DPAK)
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
DI017N10D1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
105 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
34 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
79W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252(DPAK)
封装/外壳
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含 VAT 单价:$0.32584