MOSFET - 阵列 20V 5.9A 1.8W 表面贴装型 8-SO
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ZXMN2A04DN8TA

DigiKey 零件编号
ZXMN2A04DN8TR-ND - 卷带（TR）
ZXMN2A04DN8CT-ND - 剪切带（CT）
制造商
Diodes Incorporated
制造商产品编号
ZXMN2A04DN8TA
描述
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
原厂标准交货期
40 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 20V 5.9A 1.8W 表面贴装型 8-SO
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
零件状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 5.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22.1nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1880pF @ 10V
功率 - 最大值
1.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
基本产品编号
ZXMN2
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现货: 506
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT）
数量 单价总价
1$3.77000$3.77
10$2.43900$24.39
100$1.67650$167.65
卷带（TR）
数量 单价总价
500$1.31024$655.12
1,000$1.20868$1,208.68
1,500$1.15695$1,735.42
2,500$1.11614$2,790.35
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$3.77000
含 VAT 单价:$4.10930