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Diodes Incorporated
现货: 0
单价: $1.54920
规格书

类似


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 0
单价: $0.88464
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Texas Instruments
现货: 864
单价: $2.97000
规格书

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onsemi
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

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onsemi
现货: 538
单价: $5.53000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 13,380
单价: $2.88000
规格书

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IXYS
现货: 0
单价: $4.83000
规格书

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STMicroelectronics
现货: 1,940
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STMicroelectronics
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

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STMicroelectronics
现货: 0
单价: $0.00000
规格书
TO-220-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

DMNH6008SCTQ

DigiKey 零件编号
DMNH6008SCTQDI-ND
制造商
制造商产品编号
DMNH6008SCTQ
描述
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
原厂标准交货期
12 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 60 V 130A(Tc) 210W(Tc) TO-220-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
DMNH6008SCTQ 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
21 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2596 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
210W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
基本产品编号
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管件
数量 单价总价
1$3.64000$3.64
50$1.78800$89.40
100$1.60890$160.89
500$1.29490$647.45
1,000$1.19397$1,193.97
2,000$1.10912$2,218.24
5,000$1.09715$5,485.75
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$3.64000
含 VAT 单价:$3.96760