DMNH6008SCT 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

类似


onsemi
现货: 0
单价: $0.00000
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Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

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Infineon Technologies
现货: 0
单价: $2.07101
规格书

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Infineon Technologies
现货: 0
单价: $4.68000
规格书

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Rochester Electronics, LLC
现货: 645
单价: $1.42242
规格书

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Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
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IXYS
现货: 0
单价: $5.64000
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STMicroelectronics
现货: 932
单价: $4.17000
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STMicroelectronics
现货: 0
单价: $0.00000
规格书
通孔 N 通道 60 V 130A(Tc) 210W(Tc) TO-220-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

DMNH6008SCT

DigiKey 零件编号
DMNH6008SCT-ND
制造商
制造商产品编号
DMNH6008SCT
描述
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
原厂标准交货期
12 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 60 V 130A(Tc) 210W(Tc) TO-220-3
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
21 nC @ 10 V
制造商
Vgs(最大值)
20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2596 pF @ 30 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
210W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术
等级
汽车级
漏源电压(Vdss)
60 V
资质
AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
安装类型
通孔
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
供应商器件封装
TO-220-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8 毫欧 @ 20A,10V
封装/外壳
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (9)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
FDP75N08Aonsemi0FDP75N08A-ND$0.00000类似
IPP80N06S209AKSA1Infineon Technologies0IPP80N06S209AKSA1-ND$0.00000类似
IRF1010NPBFInfineon Technologies0IRF1010NPBF-ND$2.07101类似
IRF3205PBFInfineon Technologies0IRF3205PBF-ND$4.68000类似
IRF60B217Rochester Electronics, LLC6452156-IRF60B217-448-ND$1.42242类似
按订单供货
厂方库存:1,100
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管件
数量 单价总价
50$1.52520$76.26
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$1.52520
含 VAT 单价:$1.66247