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DMN63D1LVQ-7 可以购买了，但通常没有现货。
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参数等效
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
DMN63D1LVQ-7 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 31-DMN63D1LVQ-7TR-ND - 卷带（TR） |
制造商 | |
制造商产品编号 | DMN63D1LVQ-7 |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 0.477A SOT563 |
原厂标准交货期 | 40 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 60V 477mA（Ta） 450mW（Ta） 表面贴装型 SOT-563 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Diodes Incorporated | |
系列 | - | |
包装 | 卷带（TR） | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N-通道（双） | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 60V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 477mA（Ta） | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 500mA，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.04nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 41pF @ 30V | |
功率 - 最大值 | 450mW（Ta） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | 汽车级 | |
资质 | AEC-Q101 | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | |
供应商器件封装 | SOT-563 |
按订单供货
厂方库存：78,000
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数量
所有价格均以 SGD 计算
卷带（TR）
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.11259 | $337.77 |
| 6,000 | $0.10184 | $611.04 |
| 9,000 | $0.09635 | $867.15 |
| 15,000 | $0.09019 | $1,352.85 |
| 21,000 | $0.08653 | $1,817.13 |
| 30,000 | $0.08298 | $2,489.40 |
| 75,000 | $0.07519 | $5,639.25 |
| 150,000 | $0.07458 | $11,187.00 |
| 不含 VAT 单价: | $0.11259 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $0.12272 |
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