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DMN61D8LVTQ-13 可以购买了，但通常没有现货。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
DMN61D8LVTQ-13 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | DMN61D8LVTQ-13DI-ND - 卷带（TR） |
制造商 | |
制造商产品编号 | DMN61D8LVTQ-13 |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 |
原厂标准交货期 | 40 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 60V 630mA 820mW 表面贴装型 TSOT-26 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Diodes Incorporated | |
系列 | - | |
包装 | 卷带（TR） | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N-通道（双） | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压（Vdss） | 60V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 630mA | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 欧姆 @ 150mA，5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.74nC @ 5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 12.9pF @ 12V | |
功率 - 最大值 | 820mW | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | |
供应商器件封装 | TSOT-26 | |
基本产品编号 |
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数量
所有价格均以 SGD 计算
卷带（TR）
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10,000 | $0.18120 | $1,812.00 |
| 20,000 | $0.16759 | $3,351.80 |
| 30,000 | $0.16065 | $4,819.50 |
| 50,000 | $0.15286 | $7,643.00 |
| 70,000 | $0.14825 | $10,377.50 |
| 不含 VAT 单价: | $0.18120 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $0.19751 |
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