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DMN3732UFB4-7B
Diodes Incorporated
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DMN3732UFB4Q-7B
Diodes Incorporated
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表面贴装型 N 通道 30 V 1.3A（Ta） 490mW（Ta） X2-DFN1006-3
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DMN3732UFB4-7

DigiKey 零件编号
31-DMN3732UFB4-7TR-ND - 卷带（TR）
制造商
Diodes Incorporated
制造商产品编号
DMN3732UFB4-7
描述
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 30 V 1.3A（Ta） 490mW（Ta） X2-DFN1006-3
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
零件状态
Digi-Key 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40.8 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
490mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-XFDFN
基本产品编号
DMN3732
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