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参数等效

DMN3350LDW-7
Diodes Incorporated
现货: 0
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参数等效

DMN3350LDWQ-13
Diodes Incorporated
现货: 0
单价: $0.08099

参数等效

DMN3350LDWQ-7
Diodes Incorporated
现货: 0
单价: $0.09643
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MOSFET - 阵列 30V 890mA（Ta） 340mW（Ta） 表面贴装型 SOT-363
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DMN3350LDW-13

DigiKey 零件编号
31-DMN3350LDW-13TR-ND - 卷带（TR）
制造商
Diodes Incorporated
制造商产品编号
DMN3350LDW-13
描述
MOSFET 2N-CH 30V 0.89A SOT363
原厂标准交货期
40 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 30V 890mA（Ta） 340mW（Ta） 表面贴装型 SOT-363
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
零件状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
890mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
400 毫欧 @ 590mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
38.4pF @ 15V
功率 - 最大值
340mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
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数量
所有价格均以 SGD 计算
卷带（TR）
数量 单价总价
10,000$0.05578$557.80
20,000$0.05062$1,012.40
30,000$0.04799$1,439.70
50,000$0.04503$2,251.50
70,000$0.04328$3,029.60
100,000$0.04158$4,158.00
250,000$0.03875$9,687.50
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$0.05578
含 VAT 单价:$0.06080