Name: DMN1008UFDFQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN1008UFDFQ-13TR-ND
Price: 0.20445 SGD
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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 23.4 nC @ 8 V
制造商 Diodes Incorporated	Vgs（最大值） ±8V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 995 pF @ 6 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 700mW
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 12 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12.2A（Ta）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V	供应商器件封装 U-DFN2020-6（F 类）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 8 毫欧 @ 5A，4.5V	封装/外壳 6-UDFN 祼焊盘
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA	基本产品编号 DMN1008

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
DMN1008UFDFQ-7	Diodes Incorporated	0	31-DMN1008UFDFQ-7TR-ND	$0.15061	参数等效

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DMN1008UFDFQ-13