DMG7702SFG-7 可以购买了，但通常没有现货。
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单价: $1.28000
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单价: $0.99000
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单价: $1.32000
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Toshiba Semiconductor and Storage
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表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Ta） 890mW（Ta） POWERDI3333-8
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

DMG7702SFG-7

DigiKey 零件编号
DMG7702SFG-7DITR-ND - 卷带（TR）
DMG7702SFG-7DICT-ND - 剪切带（CT）
DMG7702SFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
Diodes Incorporated
制造商产品编号
DMG7702SFG-7
描述
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Ta） 890mW（Ta） POWERDI3333-8
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
DMG7702SFG-7 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
31.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4310 pF @ 15 V
FET 功能
肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
890mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
POWERDI3333-8
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
DMG7702
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$1.36000$1.36
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取￥49.00 卷盘费。
卷带（TR）
数量 单价总价
2,000$0.35237$704.74
4,000$0.32345$1,293.80
6,000$0.30872$1,852.32
10,000$0.29216$2,921.60
14,000$0.28341$3,967.74
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$1.36000
含 VAT 单价:$1.48240