SRAM - 异步 存储器 IC 2Mb 并联 55 ns 48-TFBGA（6x8）
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AS6C2016-55BINTR

DigiKey 零件编号
AS6C2016-55BINTR-ND - 卷带（TR）
制造商
Alliance Memory, Inc.
制造商产品编号
AS6C2016-55BINTR
描述
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA
客户内部零件编号
详细描述
SRAM - 异步 存储器 IC 2Mb 并联 55 ns 48-TFBGA（6x8）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
AS6C2016-55BINTR 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Alliance Memory, Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
零件状态
在售
DigiKey 可编程
未验证
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 异步
存储容量
2Mb
存储器组织
128K x 16
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
55ns
访问时间
55 ns
电压 - 供电
2.7V ~ 5.5V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
48-TFBGA
供应商器件封装
48-TFBGA（6x8）
基本产品编号
AS6C2016
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卷带（TR）
数量 单价总价
2,000$6.01443$12,028.86
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$6.01443
含 VAT 单价:$6.55573