TP65H035WS 共源共栅氮化镓 (GaN) FET

DigiKey电子元器件新产品信息 > TP65H035WS 共源共栅氮化镓 (GaN) FET

            TP65H035WS 共源共栅氮化镓 (GaN) FET
  
                    Transphorm 的 TP65H035WS 共源共栅 GaN FET 采用 TO-247 封装，具有出色的可靠性和性能

Transphorm 的 TP65H035WS 共源共栅 GaN FET 图片 Transphorm 的 TP65H035WS 650 V、35 mΩ GaN FET 是一款常闭器件。该器件结合了先进的高电压 GaN HEMT 和低电压硅 MOSFET 技术，具有出色的可靠性和性能。

Transphorm 的 GaN 通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提升了硅器件的效率。

特性
符合 JEDEC 标准的 GaN 技术动态 RDS_(ON)eff 生产检验较低 Q_RR 降低了交越损耗符合 RoHS 规范且无卤素的封装		通过以下方式实现了稳健的设计：本征使用寿命测试宽栅极安全裕量瞬态过压能力
应用
数据通信广泛的工业		光伏逆变器伺服电机

发布日期： 2018-08-08

TP65H050WS/TP65H035WS 第三代 (Gen III) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) Transphorm 的 TP65H050WS 和 TP65H035WS Gen III GaN FET 具有更高的抗噪性和更高的栅极可靠性，从而实现安静的开关。

特性
符合 JEDEC 标准的 GaN 技术动态 RDS_(ON)eff 生产检验较低 Q_RR 降低了交越损耗符合 RoHS 规范且无卤素的封装		通过以下方式实现了稳健的设计：本征使用寿命测试宽栅极安全裕量瞬态过压能力
应用
数据通信广泛的工业		光伏逆变器伺服电机

Transphorm 的 TP65H035WS 共源共栅 GaN FET 采用 TO-247 封装，具有出色的可靠性和性能