Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

UMOS 11 低压 MOSFET

Toshiba UMOS11 低压 MOSFET 提供高效开关、更低损耗和更智能的设计

Toshiba UMOS11 低压 MOSFET 的图片Toshiba 低压 UMOS-11 工艺旨在帮助工程师满足对电源效率、紧凑设计和可靠开关性能日益增长的需求。

UMOS 11 基于改进的沟槽结构，具有更低的 RDS(on)、更低的 Qoss 和 QRR，以及更好的总体开关行为，非常适合从 DC/DC 转换器和电机驱动器到服务器电源和其他开关电源等各种应用。

该工艺将覆盖从 40 V 到 100 V、封装尺寸 5 mm x 6 mm 和 3 mm x 3 mm 的各种电压和封装。

特性
  • 该系列产品的最低导通电阻为 0.52 mΩ（最大值）(VGS=10 V)
  • 低 RDS(ON) x QOSS 和低 RDS(ON) x QRR
  • 开关模式电源效率高
  • 阈值电压稳定，确保可靠运行
  • 内置高速二极管可改善反向恢复损耗
  • 最高支持 +175°C 高温运行
应用
  • DC/DC 转换器
  • 开关电源（数据中心服务器、通信设备等）
  • 电机控制
  • 负载开关
资源

Toshiba UMOS11 低压 MOSFET 的图片

UMOS 11 Low Voltage MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1TPH2R70AR5,LQN-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@18830 - 立即发货$2.16查看详情
发布日期： 2025-09-26

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