Texas Instruments

LMG2100R044 – 100 V、35 A GaN 半桥功率级

Texas Instruments LMG2100R044 是一款带集成驱动器的高效 GaN 功率级

Texas Instruments LMG2100R044 – 100 V、35 A GaN 半桥功率级图片 Texas Instruments 的 LMG2100R044 是一款高性能、100 V、35 A 半桥功率级，集成了两个 4.4 mΩ 增强模式 GaN FET 和一个高速驱动器。该器件专为高效、高密度电源转换而设计，非常适合需要快速开关、低损耗和紧凑 PCB 布局的应用。

LMG2100R044 具有 90 V 连续电压和 100 V 脉冲电压额定值，支持高压摆率开关和最小瞬时振荡，使其适用于严苛的电力传输系统。其集成驱动器简化了设计并减少了元器件数量，而紧凑的封装则提高了热性能和布局灵活性。

该器件支持 3.3 V 和 5 V 逻辑电平，并采用 5 V 外部偏置电源运行。它针对电信、数据通信和工业电源等应用中的同步降压、升压和半桥拓扑进行了优化。

特性
  • 集成 4.4 mΩ 半桥 GaN FET 和驱动器
  • 90 V 连续、100 V 脉冲电压额定值
  • 低瞬时振荡的高压摆率开关
  • 5 V 外部偏置电源
  • 支持 3.3 V 和 5 V 输入逻辑电平
  • 针对 PCB 布局进行了优化的紧凑封装
  • 集成保护特性
应用
  • 电信和数据通信电源
  • 工业电源系统
  • 高能效 DC-DC 转换器
  • 同步降压和升压转换器
  • 半桥和全桥拓扑
  • 高密度电源模块

LMG2100R044 – 100 V, 35 A GaN Half-Bridge Power Stage

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发布日期： 2025-06-17