Texas Instruments

bq76200 高压侧 N 沟道 FET 驱动器

Texas Instruments 提供 bq76200 高电压电池组前端充放电、高压侧 NFET 驱动器

Texas Instruments 的 BQ76200 高压侧 N 沟道 FET 驱动器图片Texas Instruments 的 bq76200 器件是一个低功耗、高压侧、N 沟道系统。 高压侧保护可防止系统中的接地引断开，同时允许电池组与主机系统之间进行连续通信。 该器件的附加 P 沟道 FET 控制功能用于对深度耗尽型电池进行低电流预充电，而其 PACK+ 电压监控功能则用于主机检测 PACK+ 电压。

独立的使能输入允许 CHG 与 DSG FET 单独导通和关断 ，增大了电池系统的实施灵活性。

bq76200 器件可与配套型模拟前端器件搭配使用，例如 bq76920/30/40 系列、3 节至 15 节串联电池模拟前端监控器件，以及主机微控制器或专用的充电状态 (SOC) 跟踪电量计。

特性
  • CHG 和 DSG 高压侧 NMOS FET 驱动器用于电池保护和 FET 快速导通和关断
  • 预充电 PFET 驱动器，用于为显著耗尽型电池组进行限流式预充电
  • 独立的数字使能型充/放电控制
  • 所需外部元器件最少
  • 基于电容器的可扩展外部电荷泵，以适应并联 FET 的不同范围
  • 耐高电压（最大绝对电压 100 V）
  • 内部开关，用于启用电池组电压检测功能
  • 支持共用和独立的充放电路径配置
  • 用于直接搭配使用 bq76940、bq76930 和 bq76920 电池监控器
  • 电流消耗：
    • 正常模式：40 µA
    • 关断模式：小于 10 µA（最大）

bq76200 High-Side N-Channel FET Driver

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bq76920 Family

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bq76930 Family

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bq76940 Family

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发布日期： 2016-06-06

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