Taiwan Semiconductor

宽带隙 SiC 650 V 肖特基势垒二极管

Taiwan Semiconductor 的 SiC MPS 二极管是提高效率、可靠性和性能的终极利器

Taiwan Semiconductor 的宽带隙肖特基势垒二极管图片Taiwan Semiconductor 的 650 V 碳化硅肖特基势垒二极管适用于高效 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 转换应用。与硅基快速恢复整流器不同，这些 SiC 器件由于电容电荷 (QC) 较低，因此开关损耗可以忽略不计。这使得它们适用于高速开关应用，有利于功率密度更高的电路设计，并可以减小整体解决方案的尺寸。

SiC 器件结合了低正向压降的肖特基二极管和高反向击穿电压的 P-N 结二极管，使其成为电源线、控制按钮和数据线的终极保护器。

特性
  • 最高结温：+175°C
  • 高速开关
  • 高频工作
  • VF 具有正温度系数
  • 可用的 SPICE 模型
  • 提供热模型
  • PFC 升压二极管
  • 续流二极管
  • 全波桥
  • Vienna 无桥电路
应用
  • AC/DC 转换、PFC 升压
  • DC/DC、太阳能逆变器
  • 数据中心和服务器电源
  • 电信、数据通信电源
  • UPS 系统

Diode Arrays

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Single Diodes

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发布日期： 2024-08-07