适用于下一代电源设计的 1200 V SiC 肖特基二极管

Taiwan Semiconductor (TSC) 1200 V 宽带隙 SiC 肖特基二极管系列为现代电力转换系统提供了更高水平的效率和可靠性。这些 SiC 二极管利用先进的合并 PIN 肖特基 (MPS) 技术，提供超低反向漏电、快速开关和卓越的浪涌处理能力，非常适合电动汽车快速充电基础设施、工业电信电源和储能系统。

1 A 和 2 A 版本专为设计灵活性和空间敏感布局而设计，采用紧凑的 SOD-128 和 SMB 封装，具有改进的爬电距离，可增强电气隔离。对于更高电流的应用，该产品组合包括额定电流高达 40 A 的 TO-247-3L 器件，支持可扩展的电源设计要求。所有元器件均符合 AEC-Q101 标准，额定结温 (T_J) 高达 +175°C，可确保长期热稳定性和电气稳定性。

这些 SiC 肖特基整流器具有正温度系数和宽带隙半导体材料固有的优势，可简化热管理并实现更紧凑、更节能的系统设计。TSC SiC 二极管系列可满足下一代应用对可靠、高性能电力电子日益增长的需求。