用于 SiC FET 的 STGAP2SICD 6 kV 电流隔离式双栅极驱动器

STMicroelectronics 的 STGAP2SiCD 是一款 6 kV 电流隔离式双通道栅极驱动器，采用 SO-36 宽封装，适用于驱动 SiC 功率晶体管。它在每个栅极驱动通道与低电压控制和接口电路之间提供电流隔离。STGAP2SiCD 采用最新的 6 kV 电流隔离技术，提供一整套保护和最大的驱动灵活性。

该栅极驱动器的特点是 4 A 能力和轨到轨输出，因此适用于功率转换、工业驱动器和逆变器等中高功率应用，并且可以维持高达 1200 V 的高电压轨。

在整个温度范围内，dV/dt 瞬态抗扰度为 ±100 V/ns，确保了对电压瞬变的卓越鲁棒性。该器件具有单独的灌电流和拉电流选项，可轻松进行栅极驱动配置，并具有米勒箝位功能，可防止半桥拓扑中快速换向期间的栅极尖峰。低至 3.3 V 的 CMOS/TTL 兼容逻辑输入，确保了与微控制器和 DSP 外设的直接接口。

该器件集成了特定的 SiC 欠压锁定和热关断保护功能，可轻松设计高可靠性系统。在半桥拓扑中，互锁功能可防止输出同时处于高电平，从而避免出现错误逻辑输入命令时的击穿条件。专用配置引脚可以禁用互锁功能，以允许两个通道独立和并行操作。输入到输出的传播延迟在 75 ns 以内，可提供精确的 PWM 控制。具有待机模式，可减少功耗。