STMicroelectronics

600 V MDmesh™ DM6 MOSFET 系列

STMicroelectronics 的 600 V 至 650 V MDmesh DM6 快速恢复 SJ MOSFET 可提升效率与稳定性

STMicroelectronics 600 V MDmesh™ DM6 MOSFET 系列的图片STMicroelectronics MDmesh DM6 MOSFET 系列是当今全桥和半桥拓扑的参考。与上一代 MDmesh 版本相比，DM6 结合了优化的电容曲线和终身消除工艺，可实现低栅极电荷 (Qg)、非常低的恢复电荷 (Qrr)、短恢复时间 (trr) 以及极佳的每区域 RDS(ON)。

特性和优势
  • 极高的 dv/dt
  • 极低的 RDS(ON) 面积和 Qg 并针对轻负载条件优化电容曲线
  • 优化的柔软度
  • 优化的体二极管恢复阶段
应用
  • 电信
  • LED 照明
  • 电动汽车充电站
  • 服务器
  • 太阳能逆变器

600 V MDmesh™ DM6 MOSFETs Series

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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发布日期： 2019-08-22