SemiQ

QSiC™ 系列 1200 V Gen3 SiC MOSFET

SemiQ QSiC Gen3 SiC MOSFET 可降低开关损耗并支持在高于 1400 V 的电压下运行

SemiQ QSiC™ 系列 1200 V Gen3 SiC MOSFET 图片SemiQ QSiC 第三代碳化硅 (SiC) 1200 V MOSFET 专为要求更高效率、紧凑尺寸和热性能的高压应用而设计。与上一代产品相比，它的体积减小了约 20%，降低了开关损耗并支持 1400 V 以上的工作电压。该器件非常适合电动汽车充电站、太阳能逆变器、可再生能源系统、工业电源、电机驱动器和感应加热，有助于缩小系统占用空间，同时提高功率密度和可靠性。

该 Gen3 SiC MOSFET 采用裸芯片、SOT-227、TSPak 和 TO-247-4L 封装，为工程师的各种功率设计提供了灵活性。凭借成熟的 SiC 性能和坚固的结构，它为工业和可再生能源领域的下一代高效能电力电子提供有力的支持。

特性
  • 高速开关提高了效率
  • 可靠的体二极管实现强劲性能
  • 100% 通过高于 1400 V 的电压测试
  • 开尔文基准实现稳定运行
  • 隔离式背板提高了安全性
  • 经过 160 mJ 雪崩测试以确保耐用性
  • 驱动器源极引脚优化了栅极控制
应用
  • 太阳能和光伏逆变器
  • 开关模式电源 (SMPS) 和 UPS 系统
  • 感应加热和焊接设备
  • 电动汽车充电站
  • 高压 DC/DC 转换器
  • 电机驱动
  • 电池充电器
  • 服务器电源
  • 储能系统

QSiC™ Series 1200 V Gen3 SiC MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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发布日期： 2025-10-09