ROHM Semiconductor

RY7P250BM N 沟道 MOSFET

ROHM Semiconductor 功率 MOSFET 凭借坚固的设计，非常适合热插拔控制器应用

ROHM Semiconductor RY7P250BM N 沟道 FET 图片ROHM Semiconductor RY7P250BM 是一款具有低导通电阻并采用高功率 DFN8080-8S 封装的 N 沟道功率 MOSFET。该元器件具有坚固的设计和宽广的安全工作区 (SOA)，非常适合各种严苛应用，尤其是热插拔控制器 (HSC)。

特性
  • 低导通电阻
  • 高功率封装 (DFN8080)
  • 采用无铅电镀，符合 RoHS 规范
  • 无卤素
  • 100% 通过 RG 和 UIS 测试
  • 宽 SOA
应用
  • 数据中心的 48 V AI 服务器系统和电源热插拔电路
  • 48 V 工业设备电源系统（叉车、电动工具、机器人和风扇电机）
 
  • 电池供电型工业设备，例如 AGV（自动导引车）
  • UPS 和应急电源系统（备用电池装置）
更新日期： 2025-07-09

RY7P250BM N-Channel FET

图片制造商零件编号描述FET 类型技术漏源电压（Vdss）可供货数量价格查看详情
NCH 100V 300A DFN8080-8S WIDERY7P250BMTBCNCH 100V 300A DFN8080-8S WIDEN 通道MOSFET（金属氧化物）100 V0 - 立即发货$11.63查看详情
发布日期： 2025-06-18