AW2K21 超紧凑型低导通电阻 30 V N 沟道 MOSFET

ROHM AW2K21 是一款 30 V N 沟道 MOSFET，采用非常紧凑的 2.0 mm x 2.0 mm 封装，具有业界领先的超低导通电阻，仅为 2.0 mΩ（典型值）。该器件采用共源配置设计，集成了两个共用源极端子的 MOSFET，从而可以在单个元器件中实现高效的双向电路保护。与需要两个分立式 MOSFET 的传统电力传输电路相比，显著减少了电路板空间，使 AW2K21 成为 USB 快速充电和其他大电流便携式应用的理想选择。通过调整引脚连接，AW2K21 还可以用作标准单 MOSFET，同时仍保持卓越的性能。其超低导通电阻不仅支持小型化，还有助于提高能源效率，其性能甚至超越了同等尺寸级别的 GaN HEMT。