PowiGaN 技术

PowiGaN 是 Power Integrations 内部开发的氮化镓 (GaN) 技术。PowiGaN 开关替代了 PI 高度集成的离线反激式转换开关 IC 初级侧的传统 MOSFET，从而降低了开关损耗，并使得充电器、适配器和开放式电源比硅替代品更高效、更小、更轻。 Power Integrations 持续引领 GaN 技术的发展，不断提高开关电压，并将 GaN 提升为成熟可靠的半导体技术，以满足最严苛的应用需求。

开创性的高压 GaN 功率器件适合广泛应用

InnoSwitch3-EP 适合家电和工业用途

  • 750 V、900 V 或 1250 V PowiGaN 开关
  • Power Integrations 用途最广泛的单开关反激式电源 IC 系列采用 GaN 开关提供三种额定电压，此外还有硅和 SiC 选项。设计工程师无需改变设计，即可选择最适合其应用的开关选项。

InnoSwitch3-AQ 符合 AEC-Q100 汽车应用标准

  • 750 V 或 900 V PowiGaN 开关
  • 首款符合汽车级标准的 900 V GaN 功率器件为 400 BEV 系统中的 12 V 铅酸电池提供了完美的替代方案。

用于多输出反激式电源的 InnoMux2-EP

  • 750 V 或 1700 V PowiGaN 开关
  • 首款用于多个独立调节输出的单级反激式解决方案，无需后级稳压器，无需有源钳位即可实现零电压开关 (ZVS)。

HiperPFS-5 功率因数校正 IC

  • 750 V PowiGaN 开关
  • 首款采用 GaN 技术的 PFC 控制器 IC 实现了 0.98 的功率因数，并且无需在 PFC 级使用笨重的散热器。它支持高达 250 W 的输出功率，并且可以并联叠接，最高可达 500 W。

最高集成度的 USB PD 和快速充电

InnoSwitch5-Pro

900 V PowiGaN，无需有源钳位的零电压开关 (ZVS)，支持 28 V USB PD 扩展功率范围

InnoSwitch4-Pro

750 V PowiGaN，采用 ClampZero 技术的零电压开关 (ZVS)，可通过 I²C 接口进行数字控制

InnoSwitch4-CZ

750 V PowiGaN，采用 ClampZero 技术的零电压开关 (ZVS) 可实现最高效率

InnoSwitch3-PD

750 V PowiGaN，内置 USB-C 和 USB PD 控制器

InnoSwitch3-Pro

750 V PowiGaN，可通过 I²C 接口进行数字控制

InnoSwitch3-CP

750 V PowiGaN 实现恒功率充电

LYTSwitch-6

750 V PowiGaN 用于 LED 照明和镇流器

MinE-CAP

用于减小充电器中的电容器尺寸，与 InnoSwitch IC 配合使用

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