1.5 代碳化硅肖特基势垒二极管

PANJIT 的 1.5 代碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 专为电气工程师设计热耗散更低、性能更高的系统而开发。快速恢复二极管 (FRD) 在关断操作时有一些反向恢复电流，当主开关打开时会产生额外的开关损耗。相比之下，肖特基势垒二极管没有反向恢复电流，因此可以在更高的开关频率下使用，但由于更高的泄漏，它具有较低的击穿电压的缺点。碳化硅 (SiC) 器件比硅器件具有更高的带隙，这意味着泄漏电流非常低。SiC 器件还具有更高的电子速度，因此开关性能优于硅器件。

PANJIT 的 1.5 代碳化硅肖特基势垒二极管经过优化，对正向电压 (V_F) 具有较低的温度依赖性，因此可以在更高的温度操作中抑制传导损耗。通过在金属接触区域添加 P+ 层，它具有结势垒肖特基 (JBS) 结构。因此，浪涌电流容量可以显著提高，这有助于确保冷启动系统运行的系统级可靠性。PANJIT 的 1.5 代碳化硅肖特基势垒二极管系列具有 650 V 和 1,200 V 的击穿电压、电流额定值为 4 A 至 40 A，提供多种分立封装，例如 TO- 220AC、TO-252AA 和 TO-247AD-3LD。