650 V N 沟道超级结 MOSFET

PANJIT MOSFET 具有快速恢复和 Qrr/Trr 性能

Panjit 650 V N 沟道超级结 MOSFET 图片PANJIT 超级结 N 沟道 MOSFET 经过优化,可为 AC/DC 和 DC/DC 转换器等设备中的电源转换电路设计提供简单高效的设计支持。PANJIT 超级结 MOSFET 由于具有适当的开关性能和低 RDS(ON),因此系统设计工程师的设计工作量减少,系统尺寸更小且热耗散更低。

PANJIT 的超级结 MOSFET 提供出色的体二极管 dv/dt 稳健性。该体二极管的强大坚固性可以使使用体二极管的系统作为整个系统操作的一部分(例如 LLC 和相移全桥 (PSFB) 转换器)更加可靠。它针对性能和快速恢复 Qrr/Trr 进行了优化,具有高速开关和 60 mΩ 至 180 mΩ 的低 RDS(ON)。它们具有多种封装,包括 TO-252AA、ITO-220AB-F、TO-220AB-L、TO-247AD-3LD 和 TOLLK,非常适合服务器电源、电信电源和工业电源应用。这些产品是符合 IEC 61249 标准和欧盟 RoHS 2.0 规范的绿色模塑产品。

特性
  • 快速恢复 Qrr/Trr 性能
  • 高速开关和低 RDS(ON),10 V 时的 VGS:60 mΩ 至 180 mΩ
  • 100% 雪崩和栅极电阻 (Rg) 测试
应用
  • 电信电源
  • 服务器和数据中心
  • PD 充电器和电源适配器
  • 不间断电源 (UPS)
  • PSU 的 DC/DC 初级转换器(集成 FET)
  • 电源转换系统 (PCS)

650 V N-Channel SJ MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
650V/ 60M /  FAST RECOVERY QRR/TPJMH060N65FR2_T0_00601650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T1500 - 立即发货$9.74查看详情
650V/ 75M /  FAST RECOVERY QRR/TPJMH080N65FR2_T0_00601650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T1444 - 立即发货$8.30查看详情
650V/ 180M /  FAST RECOVERY QRR/PJMH190N65FR2_T0_00601650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/1497 - 立即发货$5.46查看详情
650V/ 60M /  FAST RECOVERY QRR/TPJMP060N65FR2_T0_00601650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T2000 - 立即发货$9.10查看详情
650V/ 75M /  FAST RECOVERY QRR/TPJMP080N65FR2_T0_00601650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T1950 - 立即发货$7.62查看详情
650V/ 180M /  FAST RECOVERY QRR/PJMP190N65FR2_T0_00601650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/2000 - 立即发货$4.67查看详情
650V/ 60M /  FAST RECOVERY QRR/TPJMF060N65FR2_T0_00601650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T1994 - 立即发货$9.10查看详情
650V/ 75M /  FAST RECOVERY QRR/TPJMF080N65FR2_T0_00601650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T1997 - 立即发货$7.62查看详情
650V/ 180M /  FAST RECOVERY QRR/PJMF190N65FR2_T0_00601650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/1994 - 立即发货$4.67查看详情
发布日期: 2025-08-06