PhotoMOS® HS WSSOP 1 Form A 低 C x R 半导体继电器

Panasonic PhotoMOS HS WSSOP 1 Form A 低 C x R 半导体继电器采用 1.45 mm x 2.2 mm x 1.75 mm 小型 WSSOP 封装，适用于高密度安装。PhotoMOS HS WSSOP 器件具有低电流消耗、高工作温度、快速开关速度以及低输出电容和低导通电阻等优异的高频通过特性。

PhotoMOS HS WSSOP 半导体继电器的漏电低至 10 nA，典型输出电容为 16 pF，典型导通电阻为 0.75 欧姆。该器件的负载输出额定值为 40 V 和 0.35 A，适用于 IC 测试仪、电路板测试仪、探针卡和其他测量设备。