onsemi EliteSiC

开发内部供应链，确保碳化硅器件的客户供应，支持可持续生态系统的快速增长。

onsemi EliteSiC 可满足太阳能逆变器、电动汽车充电器和不间断电源等严苛应用的需求。这些器件是节能碳化硅 (SiC) 二极管、MOSFET、模块和栅极驱动器的全面产品组合。

特性

  • 久经考验的品质/坚固的平面设计
    • 过程控制和老化
    • 制造过程中的缺陷扫描
    • 对所有芯片进行 100% 雪崩测试
    • 阈值或参数没有漂移
    • 高可靠性栅极氧化物
    • 汽车认证 AEC-Q100
  • 一流的设计工具
    • 物理且可扩展的精确仿真模型
    • 应用笔记和设计指南
  • 全集成制造
    • 将粉末制成产品
  • 适用于所有价值和封装的汽车或工业级
  • 第三代 SiC 产品
    • 针对高温依赖性进行了优化
      • 二极管，低串联电阻温度依赖性
      • MOSFET，在整个温度范围内保持稳定的反向恢复
    • 改善寄生电容，适合高频高效率应用
    • 提供低 RDS(on) 的大芯片
  • 提供广泛的标准和定制电源集成模块 (PIM)
  • 丰富产品组合，提供不同的电压和 RDS(on) 及 3 引线和 4 引线封装

其他资源

Hunter Freberg 主持的 SiC 网络研讨会

二极管

这些产品采用全新的技术，为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。

MOSFET

这些产品设计快速、坚固，具有高效率、减小系统尺寸和成本等系统优势。

IGBT

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 在高性能电源转换应用中提供最大的可靠性。

二极管

这些产品采用全新的技术，为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。

D1

特性：

  • 650 V、1200 V 和 1700 V 电压
  • D2PAK2、D2PAK3、TO-220-2、TO-247-2、TO-247-3 封装
  • 大芯片尺寸，低热阻 (Rth)
  • 针对高非重复正向浪涌电流 (IFSM) 进行了优化
  • Vienna 整流器输入级应用

D2

特性：

  • 650 V 电压
  • DPAK-3、D2PAK-2、D2PAK-3、PQFN-4、TO-220-2、TO-220-3、TO-247-2、TO-247-3 封装
  • 低电容充电 (QC)
  • 针对低正向电压的高速开关进行了优化
  • PFC 和输出整流应用

D3

特性：

  • 1200 V 电压
  • TO-247-2LD、TO-247-3LD 封装
  • 低电容充电 (QC) 和正向电压 (VF)
  • 针对高温运行进行了优化，串联电阻温度依赖性较低
  • 更高功率 PFC 和输出整流应用

MOSFET

这些产品设计快速、坚固，具有高效率、减小系统尺寸和成本等系统优势。

M1

特性：

  • 1200 V 和 1700 V 电压
  • D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD、裸芯片封装
  • +22V/-10V 最大栅源电压
  • 低 RDS(on) 和高短路耐受时间 (SCWT)
  • 开关损耗和传导损耗之间的平衡
  • 可用于替代 1200 V IGBT

M2

特性：

  • 650 V、750 V 和 1200 V 电压
  • D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LD 封装
  • +22V/-8V 最大栅源电压
  • 低 RDS(on) 和高短路耐受时间 (SCWT)
  • 针对低开关速度应用的最低 RDS(on) 进行了优化
  • 可用于替代 SuperFET™

M3S

特性：

  • 针对具有硬开关拓扑的高开关频率应用进行了优化
  • 与同类 1200 V 20 mΩ M1 相比，总开关损耗 (Etot) 降低约 40%
  • 太阳能、车载充电器和电动汽车充电站应用
  • 短路保护能力

M3P

特性：

  • 1200 V 电压
  • D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD 封装
  • +22V/-10V 最大栅源电压
  • 改进的寄生电容（Coss、Ciss、Crss）
  • 针对高温运行进行了优化，在整个温度范围内具有稳定的反向恢复（1200 V 22 mΩ M3S 与 1200 V 20 mΩ 相比，Qrr 降低约 46%）
  • 可用于替代 1200 V IGBT

IGBT

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 在高性能电源转换应用中提供最大的可靠性。

FS4

特性：

  • 175°C 最大结温
  • 正温度系数，易于并联工作
  • 高电流能力
  • VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 高达 75 A 的低饱和电压
  • 零件 100% 经过 ILM 测试
  • 快速开关
  • 紧密的参数分布
  • 无反向恢复/无正向恢复
  • 通过 AEC-Q101 鉴定，支持 PPAP