电动汽车直流充电器

onsemi 直流快速电动汽车充电解决了电动汽车市场的增长问题，刺激了多个行业的进步，尤其是电动汽车充电器的发展。为了满足日益增长的电动汽车需求，必须建立高效的充电基础设施以最大限度减少对环境的影响。电源组件、配置和控制器的进步有利于大功率充电站的建立，从而解决续航里程焦虑和排放问题。onsemi 利用 SiC 技术和创新封装方法简化了电动汽车充电器的设计流程。onsemi 的一系列电源和模拟解决方案提供根据特定需求定制的顶级组件，并利用丰富的专业知识为不断发展的电动汽车市场提供全面的解决方案。

带车辆充电装置的电动汽车充电站图示
直流电动汽车充电器框图
利用 onsemi 的 EliteSiC 电源模块实现未来的 DCFC

利用 EliteSiC 电源模块实现未来的 DCFC

端到端 SiC 制造能力和 EliteSiC 系列解决方案

端到端 SiC 制造能力

  • 单相直流电动汽车充电器（直流壁箱）
  • 三相直流电动汽车充电器
  • 相关零件

单相直流电动汽车充电器（直流壁箱）

特色产品

碳化硅 MOSFET，N 沟道

NTBG015N065SC1

碳化硅 MOSFET，N 沟道

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碳化硅 (SIC) MOSFET - 3

NTBL045N065SC1

碳化硅 (SIC) MOSFET - 3

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碳化硅 MOSFET，N 沟道

NTH4L015N065SC1

碳化硅 MOSFET，N 沟道

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碳化硅 (SIC) MOSFET - 3

NTMT045N065SC1

碳化硅 (SIC) MOSFET - 3

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碳化硅 (SIC) MOSFET - E

NTHL075N065SC1

碳化硅 (SIC) MOSFET - E

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碳化硅二极管 650V 9.1A DPAK

FFSD0665B

碳化硅二极管 650V 9.1A DPAK

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碳化硅二极管 650V 8A TO220-2

FFSP0665B

碳化硅二极管 650V 8A TO220-2

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碳化硅二极管 650V 8A D2PAK-2

FFSB0665B

碳化硅二极管 650V 8A D2PAK-2

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碳化硅二极管 650V 11.6A 4PQFN

FFSM0865B

碳化硅二极管 650V 11.6A 4PQFN

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碳化硅二极管 650V 27A D2PAK-2

FFSB1065B

碳化硅二极管 650V 27A D2PAK-2

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IGBT 沟槽式 FS 650V 80A TO3PF-3

FGAF40S65AQ

IGBT 沟槽式 FS 650V 80A TO3PF-3

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IGBT 沟槽式 FS 650V 80A TO247-3

FGHL50T65LQDT

IGBT 沟槽式 FS 650V 80A TO247-3

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IGBT 沟槽式 FS 650V 80A TO247-4L

FGH4L50T65SQD

IGBT 沟槽式 FS 650V 80A TO247-4L

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IGBT 场截止 650V 100A TO247

FGH4L50T65MQDC50

IGBT 场截止 650V 100A TO247

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三相直流电动汽车充电器

特色产品

IGBT 功率驱动器模块

FSB50825AS

智能电源模块 - SPM5, 250V, 3.6A, 0.33Ω

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IGBT 功率驱动器模块

NFA50460R4B

智能电源模块，600V，4A，DIP

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碳化硅 (SiC) MOSFET

NTH4L028N170M1

碳化硅 (SiC) MOSFET -EliteSiC, 28 mΩ, 1700 V, M1, TO-247-4L

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SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

NTH4L014N120M3P

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14 mΩ, 1200 V, M3P, TO-247-4L

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碳化硅 (SIC) MOSFET ELI

NTHL022N120M3S

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，22 mΩ，1200 V，M3S，TO-247-3L

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碳化硅 (SIC) MOSFET

NTH4L040N120M3S

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mΩ, 1200 V, M3S, TO-247-4L

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碳化硅 (SIC) MOSFET - E

NTBG070N120M3S

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mΩ, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

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SICFET

NTBG020N090SC1

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mΩ, 900 V, M2, D2PAK-7L

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碳化硅 MOSFET，N 沟道

NTBG015N065SC1

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mΩ, 650 V, M2, D2PAK-7L

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碳化硅 (SIC) MOSFET - 3

NTBL045N065SC1

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mΩ, 650 V, M2, TOLL

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碳化硅 MOSFET，N 沟道

NTH4L015N065SC1

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mΩ, 650 V, M2, TO-247-4L

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碳化硅 (SIC) MOSFET

NTHL075N065SC1

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mΩ, 650 V, M2, TO-247-3L

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碳化硅二极管

NDSH25170A

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管–EliteSiC, 35A, 1700 V, D1, TO-247-2L

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碳化硅二极管

FFSH10120A

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管–EliteSiC, 10 A, 1200 V, D1, TO-247-2L

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肖特基二极管

FFSB20120A

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管–EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, D2PAK-2L

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碳化硅二极管阵列

FFSH30120ADN-F155

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管–EliteSiC, 30 A, 1200V, D1, TO-247-3L

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二极管阵列

FFSH40120ADN

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管–EliteSiC, 40 A, 1200V, D1, TO-247-3L

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碳化硅二极管

NDSH50120C

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管–EliteSiC, 50 A, 1200 V, D3, TO-247-2L

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碳化硅二极管

FFSD0665B

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管–EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, DPAK

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碳化硅二极管

FFSP0665B

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管–EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, TO-220-2L

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碳化硅二极管

FFSB0665B

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管–EliteSiC, 6 A, 650 V, D2, D2PAK-2L

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碳化硅二极管

FFSB1065B

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管–EliteSiC, 10 A, 650 V, D2, D2PAK-2L

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IGBT 场截止

FGHL40T120RWD

1200 V 40 A FS7 IGBT, 低 Vce(sat), TO-247-3L

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IGBT 场截止

FGHL60T120RWD

1200 V 60 A FS7 IGBT, 低 Vce(sat), TO-247-3L

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IGBT 场截止

FGHL40T120SWD

1200 V 60 A FS7 IGBT，快速开关，TO-247-3L

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IGBT 场截止

FGY75T120SWD

1200 V 75 A FS7 IGBT，快速开关，TO-247-3L

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IGBT 场截止

FGY140T120SWD

1200 V 140 A FS7 IGBT，快速开关，TO-247-3L

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IGBT 沟槽式

FGHL50T65LQDT

具有满额共封装二极管的 650V 50A FS4 低 Vce(sat) IGBT，TO-247-3L

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IGBT 沟槽式

FGHL50T65LQDTL4

具有全额定共封装二极管的 650V 50A FS4 低 Vce(sat) IGBT，TO-247-4

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IGBT 沟槽式

FGH4L50T65SQD

650 V 50 A FS4 高速 IGBT，带共封装二极管，TO-247-4L

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IGBT 场截止

FGH4L50T65MQDC50

650 V 50 A FS4 高速 IGBT，带 SiC 二极管，TO-247-4L

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相关零件

特色产品

半桥碳化硅模块

NXH006P120MNF2

全 SiC PIM，EliteSiC，半桥，1200 V，6 mΩ，M1

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SIC MOSFET

NXH010P120MNF1

全 SiC PIM, EliteSiC, 半桥, 1200 V, 10 mΩ, M1

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ELITESIC

NXH004P120M3F2

全 SiC PIM，EliteSiC，半桥，1200 V，4 mΩ，M3S

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ELITESIC

NXH003P120M3F2

全 SiC PIM, EliteSiC, 半桥, 1200 V, 10 mΩ, M1

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SIC

NXH020U90MNF2

全 SiC PIM, EliteSiC, Vienna, 900 V 10 mΩ SiC MOSFET, 1200 V SiC 二极管

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Mosfet 阵列

NXH008T120M3F2PTHG

全 SiC PIM, EliteSiC, T-NPC, 1200 V 8 mΩ SiC MOSFET, M3S

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Mosfet 阵列

NXH020U90MNF2PTG

IGBT PIM, T-NPC, 1200 V, 160 A IGBT, 650 V, 100 A IGBT, Q1

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沟槽式场截止 IGBT 模块

NXH160T120L2Q1

IGBT PIM, T-NPC, 1200 V, 160 A IGBT, 650 V, 100 A IGBT, Q2

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PIM 电源模块

NXH160T120L2Q2F2S1

全 SiC PIM，EliteSiC，半桥，1200 V，6 mΩ，M1

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半桥碳化硅模块

NXH006P120MNF2

全 SiC PIM, EliteSiC, 半桥, 1200 V, 10 mΩ, M1

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Mosfet 阵列

NXH004P120M3F2

全 SiC PIM, EliteSiC, 半桥, 1200 V, 10 mΩ, M1

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ELITESIC

NXH003P120M3F2

全 SiC PIM，EliteSiC，全桥，1200 V，20 mΩ，M1

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Mosfet 阵列

NXH020F120MNF1PG

全 SiC PIM，EliteSiC，全桥，1200 V，40 mΩ，M1

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Mosfet 阵列

NXH040F120MNF1

全 SiC PIM，EliteSiC，全桥，1200 V，40 mΩ，M1

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