碳化硅 (EliteSiC) MOSFET
onsemi 的 SiC MOSFET 可提供高效率、更高的功率密度和更小的系统尺寸
onsemi 碳化硅 (EliteSiC) MOSFET 使用的技术与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统优势包括高效率、更快的工作频率、更高的功率密度,更低的 EMI 和更小的系统尺寸。
特性
- 900 V 额定值
- 低导通电阻
- 紧凑的芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷
- 高速开关和低电容
- 100% 通过 UIL 测试
- 符合 AEC-Q101 汽车标准要求
应用
- PFC
- OBC
- 升压逆变器
- 电动汽车充电
- 用于 EV/PHEV 的汽车 DC/DC 转换器
- 汽车车载充电器
- 汽车辅助电机驱动器
- 网络电源
- 服务器电源
900 V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | NVBG020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK | 293 - 立即发货 1600 - 厂方库存 | $48.35 | 查看详情 |
![]() | ![]() | NTHL020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 | 1555 - 立即发货 2700 - 厂方库存 | $38.88 | 查看详情 |
![]() | ![]() | NVHL020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 | 168 - 立即发货 | $40.74 | 查看详情 |
![]() | ![]() | NTH4L060N090SC1 | SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL | 478 - 立即发货 450 - 厂方库存 | $18.93 | 查看详情 |
![]() | ![]() | NTBG020N090SC1 | SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK | 714 - 立即发货 | $39.06 | 查看详情 |
![]() | ![]() | NTHL060N090SC1 | SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 | 3353 - 立即发货 | $18.39 | 查看详情 |
![]() | ![]() | NVHL060N090SC1 | SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 | 163 - 立即发货 59400 - 厂方库存 | $25.03 | 查看详情 |
Other Wide Bandgap Solutions
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |
![]() | ![]() | FFSD08120A | DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA | 5153 - 立即发货 | $9.00 | 查看详情 |
![]() | ![]() | NCD57001DWR2G | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC | 1223 - 立即发货 | $6.31 | 查看详情 |
![]() | ![]() | NCP51705MNTXG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 721 - 立即发货 84000 - 厂方库存 | $5.84 | 查看详情 |
![]() | ![]() | FFSB0665B | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263 | 480 - 立即发货 8800 - 厂方库存 | $4.13 | 查看详情 |
![]() | ![]() | NDSH25170A | DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472 | 804 - 立即发货 | $24.06 | 查看详情 |
发布日期: 2020-04-14














