G3VM-QR MOSFET 继电器

Omron S-VSON MOSFET 具有紧凑的外形尺寸和高电流处理能力

Omron G3VM-QR MOSFET 继电器的图片Omron Electronic Components G3VM-QR 系列 S-VSON MOSFET 采用紧凑的外形尺寸,具有高电流处理能力,其中 G3VM-61QR3 版本具有极低的导通电阻和低输出电容。这些四引脚 MOSFET 可以处理最高 100 V 的负载电压和低至 0.65 A 的连续负载电流。它们还提供输入和输出之间 500 V/min 的介电强度,并可在 -40°C 至 +110°C 的宽环境温度范围内可靠运行。21QR、21QR1 和 41QR4 型号具有快速的开启和关断时间、低电容和电阻,以及负载电压和连续负载电流的变化。低电容和低电阻可最大限度地减少高频和数据线应用中的信号失真和插入损耗。这些组件非常适合半导体测试设备、测试与计量设备、通信设备和数据记录器等各种应用,即使在苛刻的环境下也能提供高效的性能。

特性
  • 30 V、60 V 或 100 V 负载电压
  • 最大连续负载电流 1.5 A
  • 快速响应
    • G3VM-61QR3:操作时间最大值为 0.25 毫秒,恢复时间最大值为 0.2 毫秒
    • G3VM-21QR:操作时间最大值为 0.08 毫秒,恢复时间最大值为 0.12 毫秒
    • G3VM-21QR1 和 G3VM-41QR4:操作时间最大值为 0.15 毫秒,恢复时间最大值为 0.1 毫秒
  • 工作温度范围:-40°C 至 +110°C
  • S-VSON 封装
  • 1 A (SPST-NO) 触点形式
  • G3VM-61QR3
    • 低输出电容
    • 低导通电阻型
  • 符合 RoHS 规范
应用
  • 半导体测试设备
  • 测试与计量设备
  • 通信设备
  • 电源
  • 数据记录器

G3VM-QR MOSFET Relays

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更新日期: 2026-02-10
发布日期: 2024-09-25