MMRF5017HS 射频功率 GaN 晶体管

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            MMRF5017HS 射频功率 GaN 晶体管
  
                    NXP 的 MMRF5017HS 高增益和高坚固性使该器件非常适合用于连续波、脉冲和宽带射频应用

NXP 的 MMRF5017HS 射频功率 GaN 晶体管图 NXP 的 MMRF5017HS 125 W 射频功率 GaN 晶体管能够在 30 MHz 至 2200 MHz 的宽频带内工作，非常适合用于连续波、脉冲和宽带射频应用。对于工作在 30 MHz 至 2200 MHz 频段的应用，提供性能保证。

特性
先进的 GaN on SiC 技术，实现了高功率密度十年带宽性能输入匹配，以扩展宽带性能		高坚固性：> 10:1 VSWR 符合 RoHS 规范
应用
公共移动无线电，包括应急服务无线电工业、科技和医疗 (ISM)		宽带实验室放大器无线蜂窝基础设施